SIA417DJ-T1-GE3

P-Channel 8-V (D-S) MOSFET The **SIA417DJ-T1-GE3** is a power MOSFET manufactured by **Vishay**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SIA417DJ-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.1mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SIA417DJ-T1-GE3** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for switching and power conversion circuits.  
- The **PowerPAK® SO-8** package provides efficient thermal performance in a compact footprint.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 50A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

P-Channel 8-V (D-S) MOSFET