SI9986DY

Buffered H-Bridge The part **SI9986DY** is manufactured by **Siliconix (Vishay)**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The **SI9986DY** is a dual N-channel MOSFET in an SOIC-8 package, designed for high-efficiency power switching applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses.  
- Suitable for synchronous buck converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high performance and reliability.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows compact circuit designs.  
- **Fast Switching Speed:** Improves response in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For exact performance characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

Buffered H-Bridge