**Part Number:** SI9986CY-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 20V  
- **Current (ID):** 6A (continuous)  
- **RDS(ON):** 0.028Ω (max) @ VGS = 4.5V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions:**  
The SI9986CY-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching  
- Dual N-channel configuration in a compact SO-8 package  
- Suitable for DC-DC converters and load switching applications  

(Source: VISHAY datasheet)