**Part Number:** SI9956DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A per channel  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
  - 0.034Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W per channel  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel Design:** Two independent MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Technology:** Enhances performance with lower gate charge and reduced conduction losses.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (4.5V).  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.