### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  
- TrenchFET® Gen III technology enhances switching performance.  
- Lead (Pb)-free and RoHS-compliant.  

For detailed datasheets, refer to Vishay Siliconix documentation.