**Part Number:** SI9953DY  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 6.3A (per channel)  
- **RDS(ON):** 0.034Ω (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed.  
- Logic-level gate drive compatibility.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Source: Vishay Siliconix datasheet)