SI9947DY

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET The part **SI9947DY** is manufactured by **Vishay**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9947DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.7A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI9947DY** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 5.7A per channel.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Compact SO-8 Package:** Space-saving surface-mount design.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in harsh conditions.  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the **SI9947DY**.

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET