Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET The SI9947DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Vishay Siliconix (SI)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 20V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 520pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 180pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching performance  

### **Package:**  
- **SO-8 (Small Outline 8-Pin)**  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET in a single package**  
- **Low on-resistance (RDS(on))**  
- **High current handling capability**  
- **Optimized for power management applications**  
- **Suitable for synchronous buck converters and motor control**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET The part **SI9947DY** is manufactured by **Vishay**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9947DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 5.7A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI9947DY** is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 5.7A per channel.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Compact SO-8 Package:** Space-saving surface-mount design.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Reliable performance in harsh conditions.  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the **SI9947DY**.

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET The part **SI9947DY** is manufactured by **Siliconix**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix  
- **Part Number:** SI9947DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 5.5A (per channel)  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The SI9947DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is commonly used in DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device offers low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package.  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **SOIC-8 package** for compact PCB design.  
- **30V drain-source voltage** rating suitable for various low-voltage applications.  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files. Let me know if you need further details.

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET The part **SI9947DY** is manufactured by **Siliconix** (now part of **Vishay**). Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Siliconix (Vishay)  
- **Part Number:** SI9947DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** SOIC-8  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 4.5A per channel  
- **RDS(ON) (Max):** 0.035Ω @ VGS = 10V  
- **Power Dissipation (PD):** 2W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SI9947DY** is a dual N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-efficiency switching circuits.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Dual N-Channel Configuration** in a single package.  
- **SOIC-8 Package** for space-saving PCB designs.  
- **Logic-Level Gate Drive** compatible with 5V signals.  

For exact application details, refer to the official datasheet from **Vishay/Siliconix**.

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET