### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 14mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 50nC (typ)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
The SI9945AEY is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance, fast switching, and high current capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy rated  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- Optimized for high-efficiency power conversion  

This information is based on VISHAY's official datasheet for the SI9945AEY MOSFET.