Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET The SI9936DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix (formerly SISILICONIX).  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A per channel  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications.  
- Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Vishay Siliconix.

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET