### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Part Number:** SI9936BDY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per channel)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**
- A dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- Optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for synchronous rectification, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses.  
- **TrenchFET® Gen III technology** for improved efficiency.  
- **Dual N-Channel configuration** in a compact SOIC-8 package.  
- **High-speed switching** capability.  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant.**  

This information is sourced from Vishay's official datasheet for the SI9936BDY.