Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The part SI9934DY is manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9934DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon, Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (typical)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
- The SI9934DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low-voltage, high-speed switching in power supplies, motor control, and load switching circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Dual N-channel configuration in a compact SOIC-8 package.  
- Suitable for battery-powered and portable applications.  
- RoHS compliant.  

This information is strictly based on the available knowledge base.

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET **Manufacturer:** SILICONIX (now part of Vishay Intertechnology)  

**Part Number:** SI9934DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-channel MOSFETs in a single package.  
- **TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high efficiency.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V and 10V drive signals.  
- **Applications:** Power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET The SI9934DY is a dual N-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
### **Part Number:** SI9934DY  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per channel)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous buck converters and motor control.  
- Fast switching performance.  
- Logic-level gate drive compatibility.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.

Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET