Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET The part SI9934BDY is manufactured by **VISHAY**.  
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI9934BDY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.3A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 28mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency switching circuits.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for compact designs in space-constrained applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with lower gate charge and reduced conduction losses.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Provides improved thermal performance and power dissipation.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  
This information is based on VISHAY's official datasheet for the SI9934BDY.