SI9933BDY-T1-E3

**Part Number:** SI9933BDY-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per channel)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 4.5V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per channel)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI9933BDY-T1-E3 is a dual N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for load switching and power conversion.  

**Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- TrenchFET® technology for improved efficiency  
- PowerPAK® SO-8 package for enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  

(End of factual information.)