### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 60V  
- **Current Rating (ID):** 6.5A (continuous)  
- **RDS(ON):** 0.15Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V (max)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET® technology for low on-resistance.  
- **Application:** Designed for high-efficiency power switching in DC-DC converters, motor control, and load switching.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

(Data sourced from Siliconix documentation.)

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 12A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **RDS(ON):** 0.022Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

For detailed datasheets, refer to Vishay's official documentation.