**Part Number:** SI9926ADY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 65pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions and Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for high-efficiency power management in applications like DC-DC converters and motor control.  
- TrenchFET® Gen IV technology ensures high performance and reliability.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
- Suitable for synchronous rectification in switching power supplies.  
- AEC-Q101 qualified for automotive applications.  

(Note: Always verify datasheet details for the latest specifications.)