SI9925

N-channel enhancement mode field-effect transistor The part SI9925 is a power MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Vishay Siliconix  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 25A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SI9925 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Low gate charge  
- Avalanche energy rated  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-channel enhancement mode field-effect transistor