**Part Number:** SI9910DY  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A  
- **R_DS(on) (Max):** 0.045Ω @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

**Descriptions:**  
The SI9910DY is a N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications, offering low on-resistance and fast switching performance.  

**Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Surface-mount SO-8 package  
- Suitable for power management and load switching applications

**Part Number:** SI9910DY  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 6.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.04Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Suitable for switching and amplification in low-voltage circuits.  
- RoHS compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications.)