SI9803DY

20-V (D-S) Single The part SI9803DY is manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9803DY  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3A (per MOSFET)  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (per MOSFET)  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The SI9803DY is a dual N-channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances power efficiency.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides high performance in a compact package.  
- **Dual N-Channel Configuration:** Allows for space-saving designs.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **SOIC-8 Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional suggestions or guidance are included.

20-V (D-S) Single