In-Rush Current Limit MOSFET Driver The SI9750CY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI9750CY-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** Silicon (Si)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -10V:** 0.065Ω  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = -4.5V:** 0.095Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 15ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOP-8  

### **Description:**  
The SI9750CY-T1-E3 is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for load switching, power management, and DC-DC conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  
- Lead-free and halogen-free  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

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