**Part Number:** SI9175DM-T1  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.3A  
- **RDS(ON) (Max):** 0.042Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI9175DM-T1 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and other power-efficient designs.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- Enhanced thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  

(Data sourced from VISHAY's official documentation.)