**Part Number:** SI9169BQ-T1  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 0.028Ω  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power management.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Technology:** Enhances performance in power conversion circuits.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** DC-DC converters, load switches, motor control, and battery management.  

(Data sourced from VISHAY's official documentation.)