SI9120DY-T1-E3

**Part Number:** SI9120DY-T1-E3  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **R_DS(ON) (Max):** 13mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8 (PowerPAK®)  

### **Descriptions:**  
The SI9120DY-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching, making it suitable for DC-DC converters, load switches, and motor control.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-frequency switching  
- TrenchFET® Gen III technology for improved efficiency  
- PowerPAK® SO-8 package for enhanced thermal performance  
- RoHS compliant  

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