SI9100DN02

3-W High-Voltage Switchmode Regulator The SI9100DN02 is a power MOSFET manufactured by SILICONIX. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SILICONIX  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The SI9100DN02 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-performance applications.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 12A continuous drain current.  
- **Robust Thermal Performance:** TO-252 package for effective heat dissipation.  
- **Wide Gate-Source Voltage Range:** ±20V for flexible drive requirements.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official SILICONIX documentation.

3-W High-Voltage Switchmode Regulator