Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET **Manufacturer:** VISHAY  
**Part Number:** SI7941DP  
**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 300A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3800pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
**Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET optimized for power switching applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust thermal performance with a power dissipation rating of 200W.  
- Suitable for automotive, industrial, and power management applications.  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant.  
(Note: Verify datasheet for latest specifications.)