**Part Number:** SI7923DN-T1-E3  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 6.7A  
- **RDS(ON) (Max):** 0.028Ω @ VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

**Descriptions:**  
The SI7923DN-T1-E3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high efficiency, making it suitable for switching applications.  

**Features:**  
- Low RDS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching  
- Lead-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21