Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain The SI7900AEDN-T1-GE3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7900AEDN-T1-GE3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power management applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for switching applications in power supplies, DC-DC converters, and motor control.  
- PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and space-saving benefits.  
- RoHS compliant and halogen-free.  

For more detailed information, refer to Vishay's official datasheet for the SI7900AEDN-T1-GE3.

Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Common Drain