SI-8050S

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type The SI-8050S is a PNP silicon epitaxial planar transistor. Below are its specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Type:** PNP transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -20V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 85 to 340 (at V_CE = -5V, I_C = -500mA)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  

### **Descriptions:**  
- The SI-8050S is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for low-power switching and amplification  
- Epitaxial planar construction for improved performance  

This information is strictly based on the provided knowledge base. No additional interpretations or recommendations are included.

Full-Mold, Separate Excitation Switching Type