**Part Number:** SI7882DP  

**Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

**Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET optimized for power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

(Information sourced from VISHAY datasheets.)