N-Channel 150-V (D-S) MOSFET The SI7846DP is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7846DP  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 480A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 1.8mΩ  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 4.5V:** 2.5mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **Advanced TrenchFET® Technology:** Provides low on-resistance and high current handling.  
- **Optimized for High-Efficiency Power Conversion:** Suitable for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- **Low Gate Charge (Q_G):** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in high-stress conditions.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

These details are based on Vishay's official documentation for the SI7846DP MOSFET.

N-Channel 150-V (D-S) MOSFET