### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI7846DP-T1-GE3  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **R_DS(ON) (Max):** 1.8mΩ @ 10V, 2.3mΩ @ 4.5V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI7846DP-T1-GE3** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current handling.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON)** for reduced conduction losses  
- **Optimized for high-efficiency power conversion**  
- **TrenchFET® Gen IV technology** for improved switching performance  
- **PowerPAK® SO-8 package** for enhanced thermal and electrical performance  
- **AEC-Q101 qualified** (if applicable)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to Vishay's official documentation.