SI7748DP-T1-GE3

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode The SI7748DP-T1-GE3 is a P-Channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7748DP-T1-GE3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -25A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 44mΩ at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The SI7748DP-T1-GE3 is a high-performance P-Channel MOSFET designed for power management applications. It features Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, which provides low on-resistance and high efficiency in a compact package.

### **Features:**
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-speed switching applications  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
- Available in a PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This MOSFET is commonly used in power conversion, load switching, and battery management systems.

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode