SI7703EDN

**Part Number:** SI7703EDN  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120 A  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5 W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Gate Charge (Qg):** 25 nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 500 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- High-performance N-Channel MOSFET optimized for power management applications.  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- TrenchFET® Gen III technology for enhanced power density and thermal performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching applications.  
- Pb-free and RoHS-compliant.  

(Note: Always verify datasheet details for precise application requirements.)