### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Package:** **SOIC-8**  

### **Description:**  
The **SI7661CSA** is a **P-Channel enhancement-mode MOSFET** designed for **low-voltage, high-speed switching applications**. It features **low on-resistance** and **high current handling capability**, making it suitable for **power management, DC-DC converters, and load switching**.  

### **Features:**  
- **Low threshold voltage** (V_GS(th))  
- **Fast switching speed**  
- **Low gate charge**  
- **Avalanche energy rated**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **battery-powered applications, motor control, and power supply circuits**.  

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