SI7629DN-T1-GE3

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **R_DS(ON) (Max):** 2.2mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 5.4W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI7629DN-T1-GE3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
- Optimized for high-efficiency DC-DC converters  
- Fast switching performance  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified (automotive-grade)  
- Enhanced thermal performance with PowerPAK® package  

(Source: Vishay datasheet for SI7629DN-T1-GE3)