P-Channel 20-V (D-S) MOSFET The SI7615DN-T1-GE3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7615DN-T1-GE3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 10V:** 3.5mΩ  
- **RDS(ON) (Max) @ VGS = 4.5V:** 5.0mΩ  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**
The SI7615DN-T1-GE3 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**
- **Low RDS(ON) for reduced conduction losses**  
- **Optimized for high-efficiency power conversion**  
- **TrenchFET® Gen IV technology for improved performance**  
- **PowerPAK® SO-8 package for enhanced thermal dissipation**  
- **AEC-Q101 qualified (if applicable, check datasheet for confirmation)**  
- **Lead (Pb)-free and RoHS compliant**  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Vishay datasheet.

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET