P-Channel 30-V (D-S) MOSFET The SI7483ADP-T1-E3 is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Vishay  

### **Part Number:**  
SI7483ADP-T1-E3  

### **Type:**  
Power MOSFET (N-Channel)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200 A  
- **R_DS(ON) (Max):** 4.5 mΩ @ V_GS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110 W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
PowerPAK® SO-8  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON))  
- High current handling capability  
- Optimized for high-efficiency power management  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- AEC-Q101 qualified (if applicable)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Power management in computing and automotive systems  
- Motor control  
- Load switching  

This information is based solely on Vishay's datasheet for the SI7483ADP-T1-E3.

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET