### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -50 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -200 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5 mΩ (max) at V_GS = -10 V  
- **Gate Charge (Q_g):** 85 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4200 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and battery protection circuits.  
- RoHS compliant.  

(Source: Vishay datasheet for SI7476DP)