N-Channel 200-V (D-S) Fast Switching MOSFET The part **SI7464DP** is manufactured by **Vishay**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7464DP  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 18 mΩ (at V_GS = -10 V)  
- **Gate Charge (Q_g):** 20 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI7464DP** is a P-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features Vishay’s **TrenchFET® Gen III** technology, which provides low on-resistance and high switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Power Density:** Compact PowerPAK® SO-8 package.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 200-V (D-S) Fast Switching MOSFET