N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET The SI7460DP is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7460DP  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 60 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 240 A  
- **RDS(ON) (Max):** 4.5 mΩ @ VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (PD):** 125 W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
### **Description:**  
The SI7460DP is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It utilizes Vishay’s TrenchFET® Gen III technology, providing low on-resistance and high efficiency in switching applications.  
### **Features:**  
- **Low RDS(ON):** Improves efficiency in power conversion.  
- **High Current Handling:** Supports up to 60 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
For detailed datasheet information, refer to Vishay’s official documentation.