N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET The SI7460DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7460DP-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -10A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.035Ω (at V_GS = -10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at 25°C)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI7460DP-T1-E3 is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(on)) and high efficiency, making it suitable for switching applications.  
- The PowerPAK® SO-8 package offers improved thermal performance and board-level reliability.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides superior switching performance.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in high-energy environments.  
- **Lead (Pb)-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Optimized for DC-DC Converters and Load Switching:** Ideal for power management in portable and industrial applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET

N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET The SI7460DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Part Number:** SI7460DP-T1-E3  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -10A  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.025Ω at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
- The SI7460DP-T1-E3 is a high-performance P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability.  
- Suitable for switching and load control in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Improves performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Optimizes thermal performance and board space.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET