N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET The part **SI7446DP** is manufactured by **VISHAY**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI7446DP  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel TrenchFET® Gen IV  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **R_DS(ON) (Max) @ V_GS = 10V:** 4.6mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Operating Junction Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching applications.  
- **Fast Switching:** Designed for high-speed performance.  
- **TrenchFET® Gen IV Technology:** Provides improved thermal and electrical characteristics.  
- **Avalanche Rated:** Ensures ruggedness in demanding conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets and additional parameters, refer to **VISHAY's official documentation**.

N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET