### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (VDS):** 30V  
- **Current (ID):** 6.3A (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W  
- **RDS(ON):** 0.042Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 580pF (typ)  
- **Package:** SO-8 (Surface Mount)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(ON))** for efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed** suitable for power management applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V drive signals).  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **Applications:** Power supplies, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

This information is based on Vishay Siliconix datasheets and product documentation.