### **Specifications:**
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI7411DN  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 4.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**
- **Description:** The SI7411DN is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications, offering low on-resistance and high current capability.  
- **Features:**  
  - Low R_DS(ON) for reduced conduction losses  
  - Optimized for high-efficiency DC-DC converters  
  - Fast switching performance  
  - Enhanced thermal performance due to PowerPAK® package  
  - RoHS compliant  
  - Lead-free and halogen-free  

This information is based on VISHAY's official datasheet for the SI7411DN.