N-Channel Reduced Qg/ Fast Switching WFET The part **SI7392DP-T1** is manufactured by **VISHAY**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** VISHAY  
- **Part Number:** SI7392DP-T1  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage - Drain-Source Breakdown (Vdss):** -30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** -8.5A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 45mΩ @ 4.5A, 10V  
- **Gate-Source Voltage (Vgs) (Max):** ±20V  
- **Power Dissipation (Pd) (Max):** 2.5W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to 150°C  
- **Package / Case:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** Advanced TrenchFET® technology for low on-resistance.  
- **Application:** Designed for power management in DC-DC converters, load switching, and battery protection.  
- **Features:**  
  - Low gate charge for fast switching.  
  - High efficiency and thermal performance.  
  - Lead-free and RoHS compliant.  
  - AEC-Q101 qualified (if applicable).  

(Note: If additional details such as AEC-Q101 qualification are not explicitly confirmed in Ic-phoenix technical data files, they should not be included.)  

Let me know if you need further clarification.

N-Channel Reduced Qg/ Fast Switching WFET