N-Channel 100-V (D-S) MOSFET The part **SI7178DP-T1-GE3** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7178DP-T1-GE3  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** N-Channel  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 3.1W  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 8.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min), 2V (max)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SI7178DP-T1-GE3** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling in a compact SO-8 package.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (RDS(ON)):** Ensures minimal power loss.  
- **High Current Capability:** Supports up to 40A continuous drain current.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Enhances thermal performance and power dissipation.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive industry standards for reliability.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET