P-Channel 100-V (D-S) MOSFET The part **SI7113DN-T1-E3** is manufactured by **Vishay**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI7113DN-T1-E3  
- **Category:** MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Type:** N-Channel  
- **Voltage - Drain to Source (Vdss):** 30V  
- **Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:** 30A  
- **Rds On (Max) @ Id, Vgs:** 4.5mΩ @ 20A, 10V  
- **Vgs(th) (Max) @ Id:** 2.5V @ 250µA  
- **Gate Charge (Qg) @ Vgs:** 30nC @ 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2200pF @ 15V  
- **Power Dissipation (Max):** 3.1W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package / Case:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The **SI7113DN-T1-E3** is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current handling, making it suitable for switching and power conversion circuits.  

### **Features:**  
- Low Rds(on) for reduced conduction losses  
- High current capability (30A continuous drain current)  
- Fast switching performance  
- Optimized for power management in DC-DC converters, motor control, and load switching  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

P-Channel 100-V (D-S) MOSFET