### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.5 A (per MOSFET)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 38 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Charge (Q_g):** 15 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions & Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances performance with lower R_DS(on) and gate charge.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal performance.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

For detailed datasheets, refer to Vishay Siliconix documentation.