Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection Here are the factual details about the part **SI6968BEDQ-T1** from the manufacturer **VISHAY**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Part Number:** SI6968BEDQ-T1  
- **Type:** Dual N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 10A (per channel)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 12mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Power Dissipation (PD):** 2.5W (per channel)  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **RoHS Compliant:** Yes  
- **Lead-Free:** Yes  

### **Descriptions and Features:**
- **Dual N-Channel MOSFET:** Designed for high-efficiency power management applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides low on-resistance and high switching performance.  
- **Optimized for Synchronous Buck Converters:** Suitable for DC-DC conversion in power supplies.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Enhances thermal performance and power dissipation.  
- **Low Gate Charge (Qg):** Improves switching efficiency.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Meets automotive reliability standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, load switches, and battery management systems.  

This information is based on Vishay's official datasheet for the SI6968BEDQ-T1. Let me know if you need further details.

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection