Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI6967DQ is a power MOSFET manufactured by Vishay. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay  
- **Part Number:** SI6967DQ  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **R_DS(ON) (Max):** 6.5 mΩ @ V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (single pulse)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions:**  
The SI6967DQ is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance (R_DS(ON)) and high current handling capability, making it suitable for switching applications in DC-DC converters, motor control, and battery management systems.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(ON):** Reduces conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Enhances power density and thermal performance.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with improved thermal dissipation.  
- **AEC-Q101 Qualified:** Suitable for automotive applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the provided knowledge base.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI6967DQ is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 50mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
  - 60mΩ (at V_GS = -4.5V, I_D = -3.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (at V_GS = -10V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI6967DQ is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring efficient power switching. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Optimized for power efficiency in compact designs  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET