SI6967DQ

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET The SI6967DQ is a P-channel MOSFET manufactured by Vishay Siliconix. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.3A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W (at T_A = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):**  
  - 50mΩ (at V_GS = -10V, I_D = -4.3A)  
  - 60mΩ (at V_GS = -4.5V, I_D = -3.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (at V_GS = -10V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Description:**  
The SI6967DQ is a high-performance P-channel MOSFET designed for low-voltage applications requiring efficient power switching. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in portable electronics, battery protection circuits, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Optimized for power efficiency in compact designs  
- Lead (Pb)-free and RoHS compliant  
- PowerPAK® SO-8 package for improved thermal performance  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET