### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Vishay Siliconix (VIS)  
- **Type:** Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET  
- **Technology:** TrenchFET® Gen III  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6.3 A (per MOSFET)  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 10 V:** 28 mΩ  
- **R_DS(on) (Max) @ V_GS = 4.5 V:** 40 mΩ  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** PowerPAK® SO-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent N-Channel MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high-efficiency power management.  
- **TrenchFET® Gen III Technology:** Provides improved switching performance and reduced conduction losses.  
- **PowerPAK® SO-8 Package:** Compact footprint with enhanced thermal performance.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and load switching.  

For detailed datasheet information, refer to Vishay Siliconix's official documentation.